极紫外光刻技术（EUV）在半导体制造中扮演着至关重要的角色，但随着线宽的不断缩小，随机效应成为了影响其分辨率的关键因素。本文将探讨LELE多重曝光技术是否能够有效地对抗这些随机效应。

首先，我们了解到在50纳米以下的间距中，随机效应会对EUV光刻的分辨率极限产生重大影响。尽管LELE多重曝光技术需要多次曝光，但它并不能充分缓解由于关键尺寸较小而导致的随机效应。

通过对60纳米间距与30纳米间距的性能进行比较分析，我们发现虽然60纳米间距在某种程度上有所改善，但随机缺陷率的问题仍然存在。这表明，即使采用LELE技术，仍然难以完全避免随机效应的影响。

为了解决这个问题，我们可以考虑使用间隔器来定义关键尺寸，这在自对准双曝光（SADP）和自对准LELE（SALELE）技术中都有应用。这些技术允许通过曝光打印出更大的特征，例如在60纳米间距上打印30纳米的特征。然而，即使如此，在40纳米间距时，由于随机效应仍然严重，SADP或SALELE的双重曝光可能会重叠DUV和EUV。

总之，LELE多重曝光技术在对抗EUV光刻的随机效应方面存在局限性，需要进一步的研究和改进。