在半导体制造领域，EUV光刻技术因其高分辨率和精度而被广泛研究。然而，EUV光刻的分辨率极限并非一成不变，它受到多种因素的影响，其中电子模糊和随机效应尤为显著。

首先，电子模糊是EUV光刻分辨率的一个关键限制因素。当电子与光刻胶相互作用时，会产生散射，导致电子束的模糊。这种模糊效应会降低图像的对比度，从而影响分辨率。随着光刻节距的减小，电子模糊的影响变得更加明显。

其次，随机效应也是EUV光刻分辨率的一个挑战。电子散射和吸收的随机性会导致图像的随机变化，这被称为随机效应。这种随机性在图像中表现为亮暗像素的随机分布，从而影响图像的清晰度和精度。

随着节距的减小，为了保持图像质量，需要更高的剂量。然而，更高的剂量会降低生产效率，并可能需要使用新的光刻胶材料。此外，随着节距的减小，吸收的光子数量减少，模糊效应的影响增加，这进一步限制了EUV光刻的分辨率。

总结来说，EUV光刻的分辨率极限不仅受到传统光刻技术的限制因素，还受到电子模糊和随机效应的影响。为了提高EUV光刻的分辨率，需要解决这些挑战，并开发新的技术和材料。