在半导体制造领域，光刻技术是至关重要的。然而，随着节点的缩小，光刻分辨率受到图像模糊的影响越来越大。

本文探讨了电子模糊在EUV光刻中的作用，并提出了一个更真实的电子模糊函数形状，以改善光刻模型的准确性。

首先，文章指出了图像模糊对光刻分辨率的影响，以及模糊可能来源的因素。接着，文章介绍了一种新的电子模糊函数形状，它通过结合指数衰减函数来更准确地描述电子的行为。

通过数学推导和实验验证，文章展示了这种新函数形状在提高图像分辨率和降低缺陷率方面的优势。例如，在15nm半节距的图像中，这种新函数形状能够显著降低图像对比度的下降，从而改善边缘定义和减少缺陷。

此外，文章还讨论了在8nm线宽和16nm/32nm节距的图像中，新函数形状对图像质量的影响。结果表明，这种新的电子模糊函数形状对于提高EUV光刻的图像质量具有重要作用。