1、TSV填充通过六个阶段进行：湿润、极化、成核、充填、加速器排放和bulk层镀层。 2、充填过程中，抑制剂和加速器之间的delicate interaction决定了填充结果。 3、在充填过程中，电流密度和加速器的浓度非常重要。 4、通过优化充填条件，可以实现无void的TSV填充。 5、Bulk层镀层是TSV填充的最后一步。

1、void-free填充TSV的六个阶段：feature wetting和wafer entry、-feature polarization、nucleation、fill propagation、accelerator ejection、bulk layer plating。 2、特征polarization对TSV填充的重要性。 3、nucleation对于TSV填充的影响。