➀ EUV和DUV在20nm间距下都是可行的选项；

➁ 在20nm间距下，EUV和DUV方法可以实现类似的特征尺寸和分辨率；

➂ 即使在EUV光刻中，2nm节点的任何双曝光方案仍然需要成像10nm线宽。