➀ EUV光刻受到随机缺陷的影响，这些缺陷在曝光剂量的‘悬崖’处增加，即在曝光的上下限处缺陷密度呈指数增长。

➁ 增加的剂量会导致抗蚀剂厚度减少，这是由于氢诱导的蚀刻，这对抗蚀剂性能和缺陷率有影响。

➂ 存在一个最佳入射剂量范围，其中剩余抗蚀剂中吸收的剂量达到最大值，最小化随机缺陷的风险。