三星电子正在为其下一代HBM4内存做准备，计划在平泽工厂4号（P4）进行1c DRAM的大规模生产。这种1c DRAM采用第六代10纳米级技术，预计将在2025年全面商业化。

据韩国媒体ZDNet报道，三星已经开始从合作伙伴那里订购设备，计划在2025年第一季度开始安装生产线。1c DRAM的电路线大约在11-12纳米，比目前商业化的1b DRAM（第五代）领先一代。

三星曾使用其1a（第四代）DRAM用于HBM3E，但将改为1c用于下一代HBM4内存。如果三星能够成功实现基于1c DRAM的HBM4的大规模生产，这将大大提升该公司在人工智能市场的竞争力。