亲爱的听众，今天我们要聊一聊一种新型的内存技术——DRAM+。这种内存结合了DRAM的高速性能和SSD的存储能力，使用了一种叫做FeRAM的技术。

FMC公司与Neumonda合作，在德国重新启动了DRAM+的生产。这种内存的核心是使用铪氧化物（HfO₂）的FeRAM技术，它能够在不耗电的情况下保留数据，同时保持了DRAM的高性能。

传统的FeRAM技术使用铅锆酸钛（PZT）作为铁电层，但容量有限。而铪氧化物与CMOS工艺兼容，能够在10nm以下进行缩放，并且可以与现有的半导体制造工艺集成，这使得它能够实现更高的密度和性能，接近DRAM的水平。

FMC公司的CEO托马斯·吕克斯（Thomas Rueckes）解释说，他们的技术可以将DRAM电容器转变为低功耗的非易失性存储设备，同时保持高DRAM性能，非常适合AI计算。

Neumonda公司也将支持FMC，通过提供其先进的测试系统，如Rhinoe、Octopus和Raptor，这些平台旨在以低成本、节能和独立的方式测试内存。

这两家公司的合作不仅推动了一种新型内存产品的开发，也为欧洲半导体能力的更广泛复兴奠定了基础。他们的目标是为高级内存设计和测试重建一个本地生态系统。