Diamond Quanta公司CEO Adam Khan在近期访谈中，阐述了其革命性金刚石半导体技术的商业化路径。与传统材料相比，金刚石具有超宽带隙（ultra-wide bandgap）、超高导热性（>2000 W/m·K）和击穿场强（~10 MV/cm）等特性，但长期受限于掺杂工艺瓶颈。公司通过共掺杂（co-doping）和脉冲激光退火技术，成功激活金刚石中的n型与p型载流子，电子迁移率突破555 cm²/V·s，相关成果已发表于《MRS Advances》期刊。

在应用层面，Diamond Quanta正聚焦三大方向：航空航天/国防领域的耐高温功率器件（如肖特基二极管和场效应晶体管），可实现200°C以上结温（Tj）稳定运行；基于金刚石色心（color centers）的量子光源，用于量子通信和传感；以及耐辐射光学组件。与SiC和GaN相比，金刚石的热导率提升2倍以上，热容提高10倍，可减少50%散热组件，显著降低系统复杂度。

商业合作方面，公司采用分阶段开发模式：从保密协议（NDA）、样品评估到联合制定可靠性测试方案。目前已签署20多项保密协议及2份合作备忘录，并与晶圆厂合作开发foundry友好工艺。通过加入硅谷加速器Silicon Catalyst，Diamond Quanta计划在未来24个月内推动设计导入（design-in）和量产准备，重塑高温、高压、高辐射场景下的电子器件性能极限。