三星，全球领先的半导体制造商，正准备在2024年第四季度完成其下一代高带宽内存（HBM4）的设计，并计划在2025年第四季度开始大规模生产。这一进展标志着AI技术领域的一个重要里程碑，特别是对于英伟达即将推出的Rubin R100 AI GPU。

HBM（高带宽内存）是一种专为高性能计算和AI应用设计的高速内存技术。随着AI技术的快速发展，对HBM内存的需求也在迅速增长。SK海力士、三星和美光等主要内存制造商正在加大生产力度，但即便如此，供应仍然紧张。SK海力士已经售罄了其HBM3和HBM3E的所有库存，这表明市场对HBM内存的需求远超供应。

三星的HBM4内存将采用4纳米工艺节点制造，这是三星独有的芯片制造工艺，具有超过70%的良品率。这一先进的制造工艺将确保HBM4内存的高性能和可靠性，使其成为AI GPU的理想选择。此外，三星还计划在韩国、台湾和美国等地扩建和设立半导体工厂，以进一步提高HBM内存的产量。

英伟达的下一代AI GPU，包括Blackwell B100和B200，将使用更新的HBM3E内存标准。然而，英伟达已经透露其未来的Rubin R100 AI GPU将使用超快的HBM4内存，预计将在2025年第四季度发布。这一系列的进展不仅展示了半导体行业的技术进步，也预示着AI技术在未来几年的巨大潜力。