三星电子未能通过英伟达对HBM3E内存的认证，这使得今年向英伟达供应8层和12层HBM3E的可能性变得非常低。这种延迟是由于三星无法满足英伟达对芯片性能的要求。

据韩国媒体Daily Korea报道，三星今年在8层和12层HBM3E形式下向英伟达供应内存似乎“不可能”。延迟的原因是据报道，三星仍然无法满足英伟达对芯片性能的要求。

业界认为，三星在满足由韩国竞争对手SK hynix设定的HBM性能标准方面存在问题，而SK hynix在HBM市场上占据绝对主导地位。我们之前听说，三星HBM3E的供应因热量和功耗问题而延迟，业界也认为路透社的报道是最准确的。

SK hynix从2024年3月开始向英伟达供应其新的8层HBM3E内存芯片，其新的12层HBM3E内存的大规模生产于2024年9月开始。