在高速电路设计中，电源分配网络（PDN）的传统评估往往聚焦于阻抗频响特性。然而，本文揭示了时域抖动作为关键质量指标的价值。当输出缓冲器请求瞬态电流时，PDN无法即时响应将导致时钟边沿偏移，这种现象在DDR4等接口中会直接限制最高工作频率。

文章构建了包含三维电磁场求解器建模（捕获去耦电容频响、芯片安装电感等参数）、简化VRM模型和基于VHDL-AMS的伪随机序列电流激励的完整仿真平台。通过在DDR4案例中设置200ps边沿速率与125MHz奈奎斯特频率，成功量化了不同类型PDN的抖动表现（如图4所示）。

实验对比三种PDN配置发现：尽管优化后的平坦阻抗曲线（红色）整体阻抗值较高，但其6.6ps的抖动表现优于传统'深V型'设计（蓝色8.5ps）。这源于相位响应的频率一致性能更好对齐不同数据跳变的时序边界。该发现颠覆了'低阻抗即最优'的固有认知，为高密度封装设计提供了新的优化维度。

本文方法论已形成标准化白皮书，工程师可快速测试不同去耦方案对抖动的影响。例如移除100μF大电容虽会提升阻抗幅度，但波动性相位响应反而增加时序的不确定性。这种阻抗-抖动权衡关系的量化分析，为当下HBM3、GDDR7等超高速存储接口设计提供了关键支撑。