<p>➀ IQE和X-FAB签署了一项联合开发协议（JDA），旨在创建一个基于欧洲的GaN功率器件平台解决方案；</p><p>➁ 该协议为期两年，双方将合作开发650V GaN器件；</p><p>➂ 该协议将利用IQE的GaN外延设计和工艺专长以及X-FAB的技术开发能力和器件制造能力，为汽车、数据中心和消费应用提供优化的技术-衬底组合。</p>