<p>➀ Infineon推出适用于低地球轨道太空应用的辐射耐受型p沟道塑料封装功率MOSFET；</p><p>➁ 该MOSFET为60V型号，与四种适用于60V或150V使用的n沟道太空设备一同推出；</p><p>➂ 该p沟道MOSFET型号为BUP06CP038F-01，采用DPAK（TO252）封装，额定连续电流为35A，单事件效应（SEE）为46MeV∙cm2/mg，总电离剂量（TID）为30至50krad（Si）。</p>