SK海力士的238层TLC NAND技术代表了当前存储技术的尖端水平。这种NAND闪存采用了先进的4D架构，通过增加堆叠层数来提高存储密度，同时保持了高性能和低功耗。238层的结构不仅使得单个芯片的容量达到了512Gbit，还显著提升了数据传输速度，达到了2400 MT/second。这种技术的应用，尤其是在高端SSD和AI PC中的应用，将极大地推动数据处理速度的提升，满足日益增长的数据存储和处理需求。此外，SK海力士的这一技术还展示了其在半导体制造领域的创新能力和市场领导地位。