奇氧公司与闪迪合作，在国际固态电路会议（ISSCC）2025上发布了其第10代3D NAND闪存技术。这款新型闪存相比前代产品，在性能、比特密度、接口速度和功耗效率方面都有显著提升。

新技术采用CMOS直接键合到阵列（CBA）技术，将CMOS晶圆和单元阵列晶圆分别制造后进行键合。此外，采用了新的接口标准Toggle DDR6.0，实现了高达4.8 GB/s的NAND接口速度。

据奇氧公司称，新技术的速度比第8代技术快33%，部分原因是增加了内存层数，现在达到322层，比第8代的218层增加了38%。

尽管322层的结构距离公司2027年实现1000层3D NAND的目标还有一段距离，但仍然是一个令人印象深刻的成就。奇氧公司还声称，新的3D NAND在比特密度上提高了59%，并在功耗效率上有所改进。

此外，更新的NAND还采用了Power Isolated Low-Tapped Termination技术（PI-LTT），进一步降低了输入功耗10%和输出功耗34%。奇氧公司表示，关注功耗效率是响应人工智能技术的功耗需求。

奇氧公司首席技术官Hideshi Miyajima在新闻稿中表示：“随着人工智能技术的普及，预计生成数据量将显著增加，对现代数据中心提高功耗效率的需求也将增加。”

此外，奇氧公司和闪迪还分享了其第9代3D NAND闪存技术的计划，但尚未详细说明其功能。