大家好，欢迎收听我们的科技播客。今天，我们要聊的是三星电子的一项重大技术进展。据首尔经济日报报道，三星计划在2024年第四季度至2025年第一季度期间，安装其首台高数值孔径（High-NA）极紫外光刻设备。这台设备将主要用于研发目的，帮助三星开发其下一代的逻辑和DRAM工艺技术。 三星的这台ASML Twinscan EXE:5000 High-NA光刻系统，预计将在2025年年中投入运营。这意味着，虽然三星的High-NA EUV工具比英特尔晚一年投入使用，但它仍将领先于其竞争对手台积电和SK海力士。 此外，三星还计划围绕High-NA EUV技术建立一个强大的生态系统。除了购买High-NA EUV光刻设备外，三星还与日本的Lasertec合作，开发专门用于High-NA光罩的检测设备。据DigiTimes报道，三星已经购买了Lasertec的High-NA EUV光罩检测工具Actis A300。 三星还与JSR和东京电子合作，为2027年的商业实施做准备。同时，三星与Synopsys合作，从传统的电路设计转向光罩上的曲线路径设计，这将提高印在晶圆上的电路精度，对进一步细化工艺技术至关重要。 总之，三星的这一系列举措显示了其在半导体制造技术领域的雄心壮志。我们将继续关注这一领域的最新动态，感谢您的收听。