斯坦福大学在2024年IEDM大会上展示了首个60 GHz GaN IMPATT振荡器，这是一个重要的技术突破。

该振荡器实现了60 GHz的振荡，输出功率为12.7 dBm，这是GaN技术在毫米波应用中的一次重大进展。

斯坦福团队在边缘终止、衬底减薄和器件封装方面进行了关键工艺创新，这些创新对于提高IMPATT二极管的高频性能至关重要。

该团队与QuinStar Technologies Inc.合作，开发了一种大尺寸GaN衬底减薄工艺，并将二极管与IIa型钻石散热器集成封装，以实现高效的散热。

这种封装设计使得二极管能够承受高达2.65 MW/cm²的高输入功率密度，而不至于烧毁。

该振荡器在QuinStar Inc.的工业测试台上进行了测试，结果表明，在17.1 kA/cm²的偏置电流下，二极管能够产生60.8 GHz的振荡，输出功率为12.7 dBm。

这项技术展示了GaN IMPATT二极管在毫米波应用中的巨大潜力，并为未来高频率射频器件的发展铺平了道路。