中国DRAM制造龙头长鑫存储（CXMT）的DDR5芯片量产计划再度遇阻。据Digitimes报道，尽管其DDR5品质已比肩中国台湾南亚科技，但当前生产良率仍徘徊在50%左右，迫使量产时间延后至2025年底。

技术层面，长鑫采用第四代16nm制程生产的16GB DDR5芯片，因芯片面积比三星同类型号大40%，导致制造成本显著升高。更棘手的是，早期测试显示芯片在60°C高温和零下环境中存在稳定性缺陷，不得不耗费巨资重新设计光罩方案。虽然温度问题已解决，但良率提升依然艰难——作为对比，行业标准良率需达90%以上才能实现盈利。

geopolitical阴影下的扩产困局：摩根士丹利数据显示，长鑫2024年月产能为17万片12英寸晶圆，计划2025年增至28万片。但美国2022年颁布的出口禁令明确规定，禁止向中国提供18nm以下DRAM制造设备的技术支持。这意味着占长鑫设备80%份额的海外供应商（应用材料、泛林集团等）将难以继续维护现有产线。若无法获取备件，不仅良率提升无望，扩产计划也可能停摆。

评论：长鑫的战略困境折射出中国半导体产业的「阿喀琉斯之踵」——在追求自主可控的过程中，设备与材料的本土化始终是最大短板。尽管国家资本为其提供了远超商业公司的扩产底气，但若不能突破设备「卡脖子」问题，存储国产化的长征仍将步履维艰。当下DRAM市场正处上行周期，长鑫若能在良率与成本控制上取得突破，或能借势在国家市场分一杯羹。