以色列半导体公司Weebit Nano近日公布了其电阻式随机存取存储器（ReRAM）技术的重大进展。该技术成功通过重塑嵌入式非易失性存储器（NVM）架构，突破传统闪存在28nm以下制程的物理限制。ReRAM凭借比闪存低100倍的写入功耗、快1000倍的编程速度以及10万倍的耐久性，成为汽车电子、工业控制和边缘AI推理等高增长市场的革新力量。

Weebit Nano与美国IDM大厂onsemi达成关键技术转移协议，首款嵌入ReRAM的演示芯片将于年内完成流片。该芯片将搭载于onsemi的Treo™混合信号平台，针对需要极端温度稳定性的应用场景（如汽车引擎控制模块）。同时，韩国代工厂DB HiTek在德国PCIM展会上展示了基于1Mb ReRAM的硅验证芯片，成功运行手势识别AI模型，验证了ReRAM在边缘计算中的实时响应能力。

公司披露已与美国某安全技术企业签署首个产品级设计授权协议，该客户将把ReRAM集成至物理不可克隆功能（PUF）等硬件安全模块。Weebit Nano CEO Coby Hanoch指出，随着制程工艺向22nm以下演进，ReRAM的单元面积比闪存缩减80%，且无需附加掩模步骤，将为FD-SOI等先进工艺提供理想的存储解决方案。目前与十余家晶圆厂及IDM的技术评估正在进行，公司计划在年底前完成多个授权协议签署。