1、探索了亚20纳米DRAM中RowPress引起的泄漏的物理机制；2、对比了单面和双面RowPress与Row Hammer，重点研究电子迁移和电容串扰；3、确定增加的电场是RowPress效应的主要贡献者，与Row Hammer的e-trap辅助机制不同；4、研究了RowPress的位翻转方向性、温度依赖性、访问模式依赖性和数据模式依赖性；5、评估了RowPress效应的可扩展性，为开发缓解技术和增强DRAM的可靠性和安全性提供了理论基础。