阻变存储器（ReRAM或RRAM）凭借其快速切换速度和低功耗特性，成为下一代非易失性存储器的有力竞争者。近期，针对存储器中“松弛”现象（即短期导电漂移）的管理技术，使得ReRAM在实际应用中的稳定性显著提升。

导电松弛对存储器的挑战：在神经形态计算和多级存储（MLC）等场景中，松弛效应会导致存储单元电阻值随时间漂移，缩小高低阻态差异（即“存储窗口”），进而引发计算错误或数据丢失。CEA-Leti、CEA-List与Weebit团队的研究发现，广泛采用的节能技术——写入终止（Write Termination, WT）会加剧这一现象：在125°C高温下，WT导致存储窗口缩小76%（固定脉冲编程为基准），即使常温下也有31%的劣化。

电压过驱的解决方案：研究团队提出在SET（写入）操作中施加略高于阈值的电压（0.2个任意单位）。实验显示，该技术可将松弛效应降至固定脉冲编程水平，同时仅增加20%的能耗。模型预测表明，未优化的WT可能使半数存储单元在1天内出现显著漂移，而采用电压过驱后，达到同等漂移需超过10年，足以满足嵌入式系统与计算应用的稳定性需求。

工程化平衡：通过提升电压驱动强度，ReRAM单元被更彻底地写入目标阻态，减少了“临界写入”状态的比例。这种优化方案在保留WT节能优势（能耗仍低于固定脉冲编程）的同时，实现了温度鲁棒性，为神经形态芯片和MLC存储的商业化部署提供了关键技术支持。