最近，芝加哥大学普里茨克分子工程学院的研究人员展示了一种新技术，该技术能够通过原子级别的晶体缺陷来创建一和零，从而实现极高的数据密度。正如EENewsEurope的采访中所述，这种密度使得在一毫米大小的立方材料中可以存储数TB的数据。

这项技术的负责人、UChicago PME助理教授田中天解释说，在这个一毫米的立方体内，他们证明了至少有十亿这样的存储单元——基于原子的经典存储和传统存储。

博士后研究员、原始论文的第一作者Leonardo França详细解释了这项技术的原理，他说：‘我们发现了一种方法，将固态物理学应用于辐射剂量学，与一个在量子领域有深入研究的研究团队合作。尽管我们的工作并非完全是量子领域，但是对量子系统的研究者有需求，同时也有提高经典非易失性存储容量需求。我们的工作就立足于量子与光学数据存储的接口。’

换句话说，这项工作源于两个关键来源。首先，现有的辐射剂量计，用于测量医院和粒子加速器中人们所暴露的辐射量。其次，现有的关于存储量子比特而不是传统比特的量子存储研究已经看到晶体缺陷被用来制作量子比特。然而，那里的方法并不倾向于对那些缺陷施加电荷。

我们之前也报道过一些在非常规介质上的高密度存储尝试。与这个故事最相关的是“5D记忆晶体”，它声称在一个5英寸的平方内可以实现360TB的数据存储...但考虑到在1毫米立方体内至少有2-3TB的数据，以及5英寸大约是127个这样的立方体...这些存储晶体似乎与那些不相上下，甚至更好。不幸的是，没有提供关于单个毫米立方体内可以存储多少“TB”的确切数据。